TSMC ще произвеждат чипове по 3-нанометров процес в Аризона
Заводът ще струва 12 милиарда долара
Обратно в новинатаКоментари - TSMC ще произвеждат чипове по 3-нанометров процес в Аризона | IT.dir.bg
Коментари
Заводът е в Аризона, защото Байдън отдели едни $50 МЛД за финансиране от САЩ на такива проекти. Поне половината от парите ще са на американския държавен фонд. Ако не и повечето. Условието на този фонд е: Никакво участие на китайци и руснаци!
Азиатците правят наука и резултатите са налице. Да пожелаем на учените от БАН същия успех, защото подозирам, че има едни десетина процента там, които чакат единствено да мине месеца, за да им преведат заплатата, без да си дават зор много много да изобретяват едно-друго...
Да бе да, с какъв материал? Защото ако е от силиций това са има няма 5 атома МОС канал, колко да са преходите откъм сорса и дрейна и как се преодоляват тунелните ефекти? И за какво са три нанометра? Които все някъде из целия кристал ще дадат дефект? Друг е вариантът ако основата не е силициева, а въглеродна, там е възможно да се получат с нанотръбите, фулерените и прочее конфигурации на въглеродната равнинна решетка (кристална значи триизмерна, графенът по дефиниция е двуизмерен и представлява повърхност а не тяло казано в стриктни термини)
Малииий, много сложно си го написал, бе, друже :))) Дай по-лесно, че да го схванем и ние!
Гутоу - имаш маркуч, вързан към помпа и трябва да направиш клапан. Колкото може по-малък. По някое време клапанът става толкоз малък, че е по-мълък от гайките и болтовете, с които да го вържеш и с толкова малки детайли струга ти не може да работи, за чук пила и отверка да не говорим изобщо. Разбра ли ся?
Хората ще строят завод. Докато го построят ще изчистят технологията и ще стане ясно какъв е материала.
Измислил го е руснакът https://en.wikipedia.org/wiki/3nmprocess
Сърдечно благодаря, това внесе яснота и един цитат който изяснява ситуацията The term "3 nanometer" has no relation to any actual physical feature (such as gate length, metal pitch or gate pitch) of the transistors. According to the projections contained in the 2021 update of the International Roadmap for Devices and Systems published by IEEE Standards Association Industry Connection, a 3 nm node is expected to have a contacted gate pitch of 48 nanometers and a tightest metal pitch of 24 nanometers.[14] However, in real world commercial practice, "3 nm" is used primarily as a marketing term by individual microchip manufacturers to refer to a new, improved generation of silicon semiconductor chips in terms of increased transistor density (i.e. a higher degree of miniaturization), increased speed and reduced power consumption
Въпроса на Простака е много на място, а доста реалността всъщност е доста объркваща. До колкото на мен ми е известно някъде докъм преходите 250-180-130-90 нм смисълът на нанометрите в индустрията се е променил от реални литографски размери към просто име което да отбелязва ново поколение чипове, не фактическите размери на техните елементи. Накратко. Термина "3 нанометра" е просто маркетингова фраза и няма отношение към реалните размери на транзисторите! Всъщност дори няма конкретно универсално значение, а всяка фирма обявява какво означава за нея "3 нм", но примерно TSMC са обявили едни параметри за това какво ще наричат "3 нм", а Самсунг други. В общи линии нещо по-добро от "5 нм", само за толкова можем да сме сигурни. И все пак миниатюризацията се случва макар не с темповете на маркетинговите кампании. Според IEEE Standards Association Industry Connection в общи линии за най-малките елементи реалните числа са при "5нм" - 51 нм силикон и 30 нм метал, а сега с "3 нм" се очаква да слязат на 48 нм силикон и 24 нм метал.
