Samsung влиза в нова ера: HBM5 с 2-нм технология обещава революция в AI паметта
След похвалите от Nvidia компанията ускорява разработката на следващото поколение HBM памет с още по-мощни и ефективни чипове
Samsung вече гледа отвъд настоящото поколение високоскоростна памет и активно разработва HBM5 и HBM5E - нови решения, които ще бъдат ключови за бъдещето на изкуствения интелект и високопроизводителните изчисления. Това стана ясно след като главният изпълнителен директор на Nvidia Дженсен Хуанг лично похвали HBM4 паметта на Samsung, наричайки я "невероятна" по време на събитие.
Още по темата
Според информация от Business Korea, при HBM5 Samsung ще направи сериозна технологична крачка, като използва 2-нанометров производствен процес за базовия чип в паметта. Това е значително подобрение спрямо HBM4, където се използва 4-нм технология. В същото време DRAM чиповете в HBM5 ще се произвеждат по усъвършенстван 10-нм процес от шесто поколение (1c), който вече е доказал своята ефективност.
Интересен подход при Samsung е така нареченият "шахматен" модел на развитие, при който различните компоненти на паметта се обновяват поетапно. Това позволява намаляване на риска при внедряване на нови технологии, като същевременно се запазва висока производителност. При HBM5E компанията ще използва още по-напреднал DRAM процес (1d), комбиниран отново с 2-нм базов чип.
Паралелно с това Samsung затвърждава позициите си като ключов партньор на Nvidia. Компанията ще произвежда новите AI чипове Groq 3 по 4-нм технология, като масовото производство се очаква още тази година. Интересът към тях се очаква да нарасне сериозно през 2027 г., когато търсенето на AI изчислителна мощ достигне нови нива.
Всичко това показва, че битката за доминация при паметта за изкуствен интелект тепърва се разгаря. Samsung, заедно с конкуренти като SK hynix, се позиционира в центъра на тази надпревара, където всяка нанометрова стъпка напред означава сериозно предимство в глобалната технологична индустрия.