Учени от Мичиганския университет представиха електрохимична памет, която може да функционира при изключително високи температури, над 600 °C, включително в разтопено олово. Тази иновация има потенциал да революционизира използването на памет в условия, като ядрени реактори, реактивни двигатели и други изключително горещи среди. Основното нововъведение е използването на йони вместо електрони, което елиминира проблема с електрическия срив, характерен за конвенционалните силициеви чипове при високи температури.

Електрохимичната памет работи на базата на химични реакции между два слоя танталов оксид, разделени от специален твърд електролит. При подаване на напрежение кислородни йони мигрират между слоевете, като така се създават и съхраняват данни. Тази технология позволява енергонезависима памет, която запазва информацията дори при изключване на захранването. Учените са установили, че клетката може да съхранява данни стабилно при температури над 600 °C в продължение на 24 часа.

Освен стандартното съхранение на данни, новата памет може да запазва до 100 различни нива на съпротивление, което значително увеличава капацитета ѝ. Тази функция я прави подходяща за изчислителни приложения и чипове, където се изисква висока точност и надеждност. Интересното е, че паметта започва да функционира при минимална температура от 150 °C, което я прави специализирано решение за високотемпературни среди.

Разработката е базирана на принципите на резистивната памет (ReRAM), но с уникален подход за приложение в екстремни условия. Способността ѝ да работи в среди, където други технологии се провалят, отваря нови възможности за индустриите, работещи при високи температури. Учените вярват, че това е само началото на бъдещи приложения в космическите технологии, енергетиката и други области.