Samsung първи пуска 20-нм флаш памет

17:53 | 19 април 2010 0 216

Южнокорейската компания Samsung първа в света разработи технология за производство на 20-нм памет от типа NAND. Новите чипове ще се използват в карти памет SD и като вградени решения, например в смартфони, съобщи производителят. Технологичният пробив се случва една година след като Samsung усвои 30-нанометровото производство на памети.

Новата NAND превъзхожда изискванията на потребителите към момента, отбелязва вицепрезидентът на компанията Су Ин Чо. Производителността на 20-нм чипове е с 50% по-висока от тази NAND Flash паметите от предишно поколение.

По новата технология ще се създават SD карти памет, които ще осигурят четене на данни със скорост до 20 MB/s и запис с 10 MB/s. Първите такива продукти ще станат факт още през настоящата година.

Днес, повече от всякога, независимата журналистика има нужда от вас. В мисията си да предоставяме обективни, достоверни и навременни новини разчитаме на вашата подкрепа.

Ако вярвате в правото си на обективна информация, подкрепете ни.

Вашето дарение от всякакъв размер и по всяко време означава много за нас.

Скъпи читатели,

Днес, повече от всякога, независимата журналистика има нужда от вас.
В мисията си да предоставяме обективни, достоверни и навременни новини разчитаме на вашата подкрепа.

Ако вярвате в правото си на обективна информация, подкрепете ни.

Скъпи читатели,

Днес, повече от всякога, независимата журналистика има нужда от вас.
В мисията си да предоставяме обективни, достоверни и навременни новини разчитаме на вашата подкрепа.

Ако вярвате в правото си на обективна информация, подкрепете ни.

ИЗБРАНО