Учени от Виенския технически университет (TU Wien) създадоха микропроцесор, базиран на двумерен полупроводник (2D) от молибден дисулфид. 2D материалите се наричат така, тъй като са дебели само един атом, предава technews.bg.

Новата разработка дава възможност за създаване на прозрачни чипове, които са гъвкави и с по-добра енергийна ефективност, отколкото обикновените процесори. Двумерните полупроводници се разглеждат като основа за прозрачни и ултратънки устройства на бъдещето.

Чипът, създаден от екипа на TU Wien, има площ от 0,6 кв. мм. Това е еднобитов микропроцесор със 115 транзистора, който може да изпълнява програми, благодарение на вградена и външна памет.

Производителността на процесора може да се увеличи чрез съединяване на няколко такива чипа в една схема. Според разработчиците, това е най-сложната схема от 2D материали, създавана до момента.

2D материалите обикновено се произвеждат чрез химическо отлагане от газова фаза. По време на реакцията между две вещества, едно от които в ролята на подложка, се образува тънък филм. Двумерният полупроводник се изследва активно от момента на създаване на първия образец на графен – слой от въглерод с дебелина един атом.

Графенът е получен за първи път през 2004 г., като за стабилизиране на двумерното съединение е използвана подложка от окислен силиций. Оттогава графенът се разглежда като основен материал за производство на гъвкави дисплеи за мобилната устройства. Но той има един съществен недостатък– твърде малка енергийна разлика, която затруднява превключването на транзисторите.

Освен графена към двумерните материали се отнася шестоъгълният борен нитрид, известен още като бял графен. Той прилича на графена, но неговата мрежеста структура се състои от редуващи се атоми бор и азот вместо въглерод. По този начин белият графен изпълнява по-скоро функция на изолатор, отколкото на полуметал. Но той може да служи и като полупроводник, благодарение на зигзагообразните остри ръбове и кухините.

Към перспективните двумерни съединения се отнасят също преходни метали от типа халкогениди. Те се получават в резултат на съединяване на един атом метал от групите VI, V и VI с два атома халкоген от рода на сяра, селен или телур. Те имат слоеста структура – слой атом метал лежи между слоеве атоми халкоген. Чрез различни способи от полученото съединение може да се отдели един слой, който след това да се използва в нано- и оптоелектрониката.