Скоро тази технология може да ускори всичко - от смартфони, през SSD лаптопи до машини за ДНК анализ и суперкомпютри, пише IDG.

ВИДЕО >>

Новата памет не разчита на традиционните транзистори, които са в основата на модерната флаш памет. Вместо това, материалът във всяка клетка на Xpoint променя физическите си характеристики, така че да има голямо или малко електрическо съпротивление, което отговаря на бинарните състояние 1 и 0.

По-интересното е, че множество от тези клетки са събрани в 3D структура, която позволява всяка от клетките да бъде "достъпвана" и обработвана индивидуално.

Модерните NAND флаш памети трябва да променят състоянието на цял блок от клетки, за да се случи запис, което води до по-бавни операции и по-кратък живот на паметта.

Intel съобщават, че новата структура, която позволява да се "достъпва" всяка клетка индивидуално, показва 1000 пъти по-добра производителност от конвенционалните NAND памети и има стотици пъти по-дълъг живот.

3D дизайнът пък дава възможност да се постигне 10 пъти по-висока плътност на паметта.

Всичко това на практика ще означава терабайтови твърдотелни памети с десетки години време на живот и скорости на достъп от гигабити за сeкунда – сбъдната мечта.

Micron и Intel казват, че чиповете вече са в производство, макар че няма никакъв график кога ще видим потребителски устройства с тази технология.