RRAM може да се произвежда по по-тънък технологичен процес, отколкото NAND флаш, отличава се с високо бързодействие и ниско енергийно потребление, съобщи digitimes.com.

Серийното производство на новата памет е усвоено успешно с използване на 200-милиметрови пластини и 30-нанометров технологичен процес. Очаква се RRAM скоро да бъде комерсиализирана.

При флаш паметите от типа NAND се използва технология с плаващ гейт, която има сериозни ограничения при преминаване към процес, по-малък от 20 нанометра, уточнява TechNews. Ето защо производителите търсят алтернатива на NAND паметта. RRAM е едно от възможните решения на проблема.